3GB będzie standardem w najdroższych smartfonach

Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji modułów pamięci DRAM o pojemności 3GB i niskim poborze energii (LPDDR3). To charakteryzujące się najwyższą gęstością zapisu danych rozwiązanie, przeznaczone do zastosowania w smartfonach najnowszej generacji, pozwoli zastąpić powszechnie stosowane w urządzeniach mobilnych moduły pamięci 2GB.

Kości pamięci do urządzeń mobilnych DRAM Samsung 3GB LPDDR3 zawierają sześć najmniejszych na rynku, 4-gigabitowych (Gb) chipów LPDDR3 wykonanych w 20-nanometrowym procesie technologicznym*, ułożonych jako symetryczna struktura dwóch zestawów po trzy chipy, przy grubości pakietu zaledwie 0,8 mm. Nowe ultra-cienkie moduły pamięci Samsung umożliwią projektowanie cieńszych smartfonów, jednocześnie pozostawiając więcej miejsca na baterię i zapewniając transmisję danych z prędkością do 2.133 megabitów na sekundę na pin.

Od połowy bieżącego roku mobilna pamięć DRAM 3GB będzie stosowana w najnowszych smartfonach z najwyższej półki. Natomiast w przyszłym roku rozszerzymy jej wykorzystanie na większość zaawansowanych smartfonów oferowanych na całym świecie, powiedział Young-Hyun Jun, wiceprezes działu marketingu i sprzedaży pamięci w Samsung Electronics. Będziemy pracować nad nowym rozwiązaniem 3GB LPDDR3 opartym na czterech chipach 6GB LPDDR3 DRAM, rozmieszczając symetrycznie po dwa chipy po każdej stronie, co jeszcze przed końcem roku umożliwi znaczny skok wydajności smartfonów.

Pamięć Samsung 3GB LPDDR3 DRAM łączy się z procesorem aplikacji mobilnych poprzez dwa symetryczne kanały transmisji danych, z których każdy połączony jest z częścią pamięci o pojemności 1,5GB. Asymetryczny przepływ danych może powodować przy określonych ustawieniach gwałtowne spadki wydajności, natomiast dzięki strukturze symetrycznej takie ryzyko nie występuje a jednocześnie zmaksymalizowano charakterystyki systemu.