Qualcomm ogłosił, że jej spółka zależna - Qualcomm Technologies i Samsung Electronics przedłużyli dziesięcioletnią współpracę.
Jej efektem jest m.in. procesor Qualcomm Snapdragon 835, w którym zastosowano 10 nanometrową technologię FinFET wykorzystywaną przez Samsunga.
Snapdragon 835 jest już w produkcji, a do urządzeń mobilnych trafi w pierwszej połowie 2017 r. Jest on następcą procesora Snapdragon 820/21, opracowywanego w ponad 200 wersjach.
W październiku Samsung ogłosił, że jako pierwsza firma w branży rozpocznie produkcję w technologii FinFET 10 nm na masową skalę. W porównaniu z poprzednią technologią FinFET 14 nm, 10-nanometrowa litografia umożliwia zwiększenie efektywności powierzchni o 30% przy wzroście wydajności o 27%, czy też obniżeniu zapotrzebowania na energię o 40%. Dzięki zastosowaniu technologii FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się powierzchnia chipa, dając producentom możliwość zastosowania większych baterii w nowych produktach lub budowanie smuklejszych urządzeń. Udoskonalenia w procesie produkcji w połączeniu z unowocześnioną konstrukcją chipa mają również znacząco przedłużyć czas działania baterii.
Nowy procesor będzie obsługiwał technologię Qualcomm Quick Charge 4. Jest ona o 20% szybsza od Quick Charge 3.0, o 30% efektywniejsza, a ładowanie ma o 5 stopni niższą temperaturę.